適用于RFID的LSI
富士通半導體開發(fā)并生產(chǎn)了適用于RFID的LSI,覆蓋了HF(高頻:13.56MHz)和UHF(超高頻:860至960MHz)。嵌入式FRAM是其最佳的特性之一;FRAM可以實現(xiàn)更高的速度寫入,更低的功耗和更高的耐久力。我們推出的具有大存儲尺寸的無源RFID廣泛用于世界各地。
適用于RFID標記的富士通LSI的主要特性
● 高速寫入性能:通過嵌入式FRAM的高性能增強了寫入操作的吞吐量。
● 穩(wěn)定的通信距離:在低功耗模式下寫入,在寫入和讀取操作上都實現(xiàn)了相同的通信距離。
● 相比之下,E2PROM的標記在寫入操作上消耗了更大量的功率,讓通信距離變得更短。
● 高密度存儲器:高速寫入特性使其在標記上成為大容量存儲器。但是標記嵌入式E2PROM的速度還不夠快,不足以采用大容量存儲器。
● 耐久力長:保證了最高1百萬兆次的讀/寫操作,這一特性實現(xiàn)了標識的長期應用或復用。
● 抗輻射性強:即使經(jīng)過伽馬射線的照射或干擾,還是能保持數(shù)據(jù)。同時,嵌入標記的E2PROM從理論上講,抗輻射能力較弱。
● 適用的國際標準:富士通的RFID LSI產(chǎn)品陣列符合ISO15693和ISO18000-3, 6標準。
可提供的FRAM RFID標記應用
采用FRAM,RF標記的高速性能圖片
<高速性能的作用>
● 標記本身的記錄歷史和質量檢測
● 不打開封裝的情況下,在設備標記上變更參數(shù)
● 通過提升輸出量來降低系統(tǒng)成本
● 在離線時能夠構建系統(tǒng)
FRAM RFID
P/N |
音頻范圍 |
存儲器性能 |
命令 |
串行接口 |
數(shù)據(jù)保留時間 |
讀/寫耐受力 |
MB97R803A/B |
256Kbit |
2.7 至 5.5V |
1MHz |
-40 至 +85℃ |
1012次 (1萬億次) |
10年 (+70℃) |
MB97R804A/B |
128Kbit |
2.7 至 3.6V |
400KHz |
-40 至 +85℃ |
1012次 (1萬億次) |
10年 (+85℃) |
MB97R7051 |
64Kbit |
2.7 至 3.6V |
400KHz |
-40 至 +85℃ |
1012次 (1萬億次) |
10年 (+85℃) |
MB89R118C |
64Kbit |
3.0 至 5.5V |
400KHz |
-40 至 +85℃ |
1012次 (1萬億次) |
10年 (+85℃) |
MB89R119B |
16Kbit |
2.7 至 3.6V |
1MHz |
-40 至 +85℃ |
1012次 (1萬億次) |
10年 (+85℃) |
MB89R112 |
16Kbit |
3.0 至 5.5V |
1MHz |
-40 至 +85℃ |
1012次 (1萬億次) |
10年 (+85℃) |
FerVID系列產(chǎn)品發(fā)展路線圖
適用于嵌入式應用MB9BF506RA-EVB-RF-01的RFID開發(fā)套件
搭載了FM3微控制器的MB9BF506R的微控制器板和搭載了MB97R804B的天線板通過一個SPI接口相結合。微控制器板具有溫度、濕度和光源傳感器, 一個3軸加速計,一個時鐘函數(shù)和一個LCD,都通過一個I2C接口與它們互聯(lián)。傳感器周期性的數(shù)據(jù)采集由LCD顯示,并可以運行由閱讀器/記錄器讀取的應用。天線板的主頻率約為920MHz。當通過PC上的USB連接器將天線板與PC相連接時,微控制器固件可以在板上進行寫入?梢詾樵u估創(chuàng)建和執(zhí)行演示及程序?梢酝ㄟ^將ICE接口用作適用于微控制器開發(fā)套件的固件對天線板進行應用。