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• 獨立存儲器(I²C/SPI/并行接口產(chǎn)品)
• 適用于RFID的LSI
• 認(rèn)證IC
• FRAM 微控制器

　　FRAM是集合了ROM和RAM兩種存儲器的優(yōu)勢。擅于進(jìn)行高速寫入、具有長的耐久力和低功耗。富士通半導(dǎo)體提供了采用串行（I²C和SPI）和并行外設(shè)的FRAM產(chǎn)品，目前4Kb至4Mb的產(chǎn)品也已量產(chǎn)。

與SRAM相比
獨立的FRAM存儲器，因為具有Pseudo-SRAM I/F，因此與SRAM之間具有的高度兼容性。利用FRAM取代SRAM，您可以獲得的優(yōu)勢如下：
1. 總的成要縮減
采用SRAM，你需要檢測其電池狀態(tài)。但是FRAM卻讓你免去了進(jìn)行電池檢測的困擾。而且，F(xiàn)RAM不需要電池槽、防倒流二極管和更多的空間，而這些都是SRAM所需的。FRAM的單芯片解決方案可以節(jié)省空間和成本。
● 維護自由；無需更換電池
● 縮小的器件尺寸；可以省去大量的器件
2. 環(huán)保型產(chǎn)品（減少了環(huán)境負(fù)擔(dān)）
用過的電池成為工業(yè)廢料。在生產(chǎn)過程中，與SRAM相比，F(xiàn)RAM能夠降低一半的CO₂排放量。FRAM對于環(huán)保有益。
● 無廢棄電池
● 降低工業(yè)負(fù)荷，實現(xiàn)環(huán)保
與E²PROM/閃存相比
與傳統(tǒng)的非易失性存儲器，如E²PROM和閃存相比，F(xiàn)RAM具有更快的寫入、更高耐久力和更低功耗等優(yōu)勢。用FRAM取代E²PROM和閃存還具有更多優(yōu)勢，具體如下：
1. 性能提升
FRAM的高速寫入能夠在電源中斷的瞬間備份數(shù)據(jù)。不僅如此，與E²PROM和閃存相比，F(xiàn)RAM能夠更頻繁的記錄數(shù)據(jù)。當(dāng)寫入數(shù)據(jù)時，E²PROM和閃存需要高壓，因此，消費的功率比FRAM更多。如果嵌入FRAM，那么電池供電器件中的電池的壽命將更長。
總之，F(xiàn)RAM具有下列優(yōu)勢：
● 能夠在電源中斷的瞬間備份數(shù)據(jù)
● 能夠進(jìn)行頻繁的數(shù)據(jù)記錄
● 能夠保證更長的電池壽命
2. 總的成本縮減
在為每個產(chǎn)品寫入出廠參數(shù)時，與E²PROM 和閃存相比，F(xiàn)RAM可以縮減寫入時間。而且，F(xiàn)RAM可以為您提供一種芯片解決方案，避免采用幾個存儲器來保存數(shù)據(jù)，而E²PROM卻不能實現(xiàn)。因此，利用FRAM可以降低總成本！
● 當(dāng)寫入出廠參數(shù)時，縮短了寫入時間
● 減掉了產(chǎn)品上很多的部件

串行閃存
I²C接口
與世界標(biāo)準(zhǔn)，I²C BUS完全兼容。利用兩個端口，幾個時鐘（SCL）和串行數(shù)據(jù)（SDA）控制每個函數(shù)。 SPI接口
在25MHz（最大值）頻率下，實現(xiàn)了最大時鐘性能速度。 并行存儲器
可以像SRAM一樣采用并行讀取和寫入。不需要利用任何電池來保存數(shù)據(jù)。

未來我們還將通過技術(shù)來發(fā)來提高一些技術(shù)規(guī)格，如工作電壓和存取速度，并提供多種產(chǎn)品。富士通半導(dǎo)體能夠利用其它公司不能提供的富士通獨有技術(shù)，提供廣泛的單獨FRAM產(chǎn)品。
4Kb至4Mb產(chǎn)品現(xiàn)已投入量產(chǎn)。