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• 獨(dú)立存儲(chǔ)器(I²C/SPI/并行接口產(chǎn)品)
• 適用于RFID的LSI
• 認(rèn)證IC
• FRAM 微控制器

FRAM（鐵電存儲(chǔ)器）具有像E²PROM一樣的非易失性的優(yōu)勢(shì) ，在沒(méi)有電源的情況下可以保存數(shù)據(jù)，用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。FRAM具有兩個(gè)產(chǎn)品系列，串行接口（I²C，SPI）和并行接口產(chǎn)品。采用串行I/F的FRAM可以用E²PROM或串行閃存來(lái)代替，而采用并行I/F的產(chǎn)品可以用低功耗SRAM或Pseudo SRAM (PSRAM)來(lái)代替。
富士通半導(dǎo)體集團(tuán)控制著FRAM的整個(gè)生產(chǎn)程序；在日本的芯片開(kāi)發(fā)和量產(chǎn)及組裝程序。富士通公司保證了FRAM產(chǎn)品的高質(zhì)量和穩(wěn)定供應(yīng)。自從1999年開(kāi)始，F(xiàn)RAM產(chǎn)品已經(jīng)連續(xù)供應(yīng)12年以上，并且正在為許多客戶提供所需的高可靠性。

● 當(dāng)加置電場(chǎng)時(shí)就會(huì)產(chǎn)生極化。（鋯/鈦離子在晶體中向上或向下移動(dòng)）
● 即使在不加置電場(chǎng)的情況下，也能保持電極。
● 兩個(gè)穩(wěn)定的狀態(tài)以"0"或"1"的形式存儲(chǔ)

與傳統(tǒng)存儲(chǔ)器相比，F(xiàn)RAM具有下列優(yōu)勢(shì)：
非易失性
● 即使沒(méi)有上電，也可以保存所存儲(chǔ)的信息。
● 與SRAM相比，無(wú)需后備電池（環(huán)保產(chǎn)品）
更高速度寫(xiě)入
● 像SRAM一樣，可覆蓋寫(xiě)入
● 不要求改寫(xiě)命令
● 對(duì)于擦/寫(xiě)操作，無(wú)等待時(shí)間
● 寫(xiě)入循環(huán)時(shí)間 =讀取循環(huán)時(shí)間
● 寫(xiě)入時(shí)間： E²PROM的1/30,000
具有更高的讀寫(xiě)耐久性
● 確保最大10¹²次循環(huán)（100萬(wàn)億循環(huán)）/位的耐久力
● 耐久性：超過(guò)100萬(wàn)次的 E²PROM
具有更低的功耗
● 不要求采用充電泵電路
● 功耗：低于1/400的E²PROM
表1. FRAM和其它器件間規(guī)格差異的比較表
表1. 與其它存儲(chǔ)器產(chǎn)品相比，F(xiàn)RAM的特性

獨(dú)立存儲(chǔ)器（I2C/SPI/并行接口產(chǎn)品）
富士通半導(dǎo)體提供了獨(dú)立的存儲(chǔ)器，它具有FRAM的優(yōu)勢(shì)，包括非易失性、高速讀寫(xiě)、低功耗和更高的讀寫(xiě)耐久性。你可以將其用于各種應(yīng)用，如移動(dòng)裝置，OA設(shè)備，數(shù)字電器和銀行終端等。